IRFI9640G Vishay
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 47.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI9640G Vishay
Description: MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.7A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFI9640G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFI9640G | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
IRFI9640G | Vishay / Siliconix |
 MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI9640GPBF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFI9640G | |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Description: MOSFET P-CH 200V 6.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.1A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRFI9640G |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI9640GPBF
MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFI9640GPBF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.