
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 82.11 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFI9Z24GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFI9Z24GPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.5 A, 0.28 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFI9Z24GPBF за ціною від 76.92 грн до 138.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFI9Z24GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFI9Z24GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFI9Z24GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFI9Z24GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFI9Z24GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFI9Z24GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFI9Z24GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IRFI9Z24GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: -34A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
IRFI9Z24GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 37W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IRFI9Z24GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; 8.5A; Idm: -34A; 37W; TO220FP Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: 8.5A Pulsed drain current: -34A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 19nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |