Продукція > VISHAY > IRFIB6N60APBF
IRFIB6N60APBF

IRFIB6N60APBF Vishay

sihfib6n.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+71.74 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFIB6N60APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFIB6N60APBF за ціною від 73.29 грн до 302.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : Vishay sihfib6n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+73.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : Vishay sihfib6n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
158+77.26 грн
Мінімальне замовлення: 158
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : Vishay sihfib6n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+103.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : Vishay sihfib6n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+112.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : Vishay sihfib6n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+221.08 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : VISHAY IRFIB6N60A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.93 грн
10+110.85 грн
11+86.39 грн
29+81.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : Vishay Siliconix sihfib6n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.48 грн
50+179.46 грн
100+169.98 грн
500+132.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013608741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+290.62 грн
10+223.94 грн
100+139.96 грн
500+129.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfib6n.pdf MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.39 грн
10+221.13 грн
25+159.26 грн
100+124.76 грн
500+123.30 грн
1000+122.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : VISHAY IRFIB6N60A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+302.31 грн
10+138.14 грн
11+103.66 грн
29+98.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Виробник : Vishay sihfib6n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.