Продукція > VISHAY > IRFIB6N60APBF
IRFIB6N60APBF

IRFIB6N60APBF Vishay

doc91175.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
700+94.00 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFIB6N60APBF Vishay

Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).

Інші пропозиції IRFIB6N60APBF за ціною від 94.29 грн до 365.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Vishay doc91175.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY VISH-S-A0013608741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.45 грн
10+173.12 грн
100+150.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF VISHAY IRFIB6N60A.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+265.28 грн
10+177.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Vishay doc91175.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.21 грн
10+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Vishay doc91175.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+281.21 грн
68+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Vishay Semiconductors sihfib6n.pdf MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+308.49 грн
10+192.48 грн
100+145.57 грн
500+123.07 грн
1000+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Vishay doc91175.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+330.57 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60APBF Vishay Siliconix sihfib6n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.52 грн
50+183.36 грн
100+167.02 грн
500+129.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF doc91175.pdf
IRFIB6N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
700+94.29 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF VISH-S-A0013608741-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFIB6N60APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFIB6N60APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.75ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+258.45 грн
10+173.12 грн
100+150.15 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF IRFIB6N60A.pdf
IRFIB6N60APBF
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; 60W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 60W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+265.28 грн
10+177.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF doc91175.pdf
IRFIB6N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+281.21 грн
10+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF doc91175.pdf
IRFIB6N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
51+281.21 грн
68+207.82 грн
Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF sihfib6n.pdf
IRFIB6N60APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 600V 5.5A N-CH MOSFET
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+308.49 грн
10+192.48 грн
100+145.57 грн
500+123.07 грн
1000+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF doc91175.pdf
IRFIB6N60APBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
43+330.57 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIB6N60APBF sihfib6n.pdf
IRFIB6N60APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+365.52 грн
50+183.36 грн
100+167.02 грн
500+129.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.