на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIB7N50APBF Vishay
Description: VISHAY - IRFIB7N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 60W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFIB7N50APBF за ціною від 129.17 грн до 383.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFIB7N50APBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFIB7N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFIB7N50APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIB7N50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 6.6 A, 0.52 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.52ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 352 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFIB7N50APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 500V 6.6A N-CH MOSFET |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFIB7N50APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V |
на замовлення 197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFIB7N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRFIB7N50APBF Код товару: 47154
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||
|
|
IRFIB7N50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 6.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFIB7N50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 44A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFIB7N50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 44A; 60W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Power dissipation: 60W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 52nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 44A |
товару немає в наявності |