IRFIBC20GPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 181.36 грн |
| 50+ | 140.60 грн |
| 100+ | 115.69 грн |
| 500+ | 91.87 грн |
| 1000+ | 77.95 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIBC20GPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFIBC20GPBF за ціною від 74.77 грн до 236.09 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFIBC20GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs TO220 600V 1.7A N-CH |
на замовлення 791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFIBC20GPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IRFIBC20GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.1A; 30W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.1A Power dissipation: 30W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.4Ω Mounting: THT Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |