
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
700+ | 83.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIBC30GPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFIBC30GPBF за ціною від 55.81 грн до 215.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFIBC30GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIBC30GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIBC30GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIBC30GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 312 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIBC30GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1.6A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 1.6A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 444 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIBC30GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
на замовлення 1568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIBC30GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIBC30GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1551 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
IRFIBC30GPBF Код товару: 127485
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
![]() |
IRFIBC30GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
![]() |
IRFIBC30GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |