Продукція > VISHAY > IRFIBE30GPBF

IRFIBE30GPBF Vishay


91184.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 363 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
148+96.09 грн
189+74.89 грн
191+74.15 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFIBE30GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).

Інші пропозиції IRFIBE30GPBF за ціною від 71.50 грн до 590.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Vishay Siliconix 91184.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Vishay 91184.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.86 грн
8+96.09 грн
50+74.89 грн
100+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Vishay 91184.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.74 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF VISHAY IRFIBE30G.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.89 грн
4+126.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Vishay 91184.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+167.65 грн
90+158.41 грн
100+153.13 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF VISHAY 91184.pdf Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+282.87 грн
10+148.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Vishay Semiconductors 91184.pdf MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+293.56 грн
10+148.33 грн
100+107.13 грн
500+97.27 грн
1000+89.51 грн
2000+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Vishay 91184.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+590.50 грн
50+305.85 грн
100+278.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF 91184.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+118.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF 91184.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7+124.86 грн
8+96.09 грн
50+74.89 грн
100+71.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF 91184.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
113+125.74 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30G.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+159.89 грн
4+126.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF 91184.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
85+167.65 грн
90+158.41 грн
100+153.13 грн
Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF 91184.pdf
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+282.87 грн
10+148.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF 91184.pdf
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+293.56 грн
10+148.33 грн
100+107.13 грн
500+97.27 грн
1000+89.51 грн
2000+88.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF 91184.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+590.50 грн
50+305.85 грн
100+278.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.