Технічний опис IRFIBE30GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 35W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm.
Інші пропозиції IRFIBE30GPBF за ціною від 71.34 грн до 589.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFIBE30GPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IRFIBE30GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 35W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.31 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 119+ | 118.96 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 117+ | 121.31 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 124.58 грн |
| 8+ | 95.88 грн |
| 50+ | 74.73 грн |
| 100+ | 71.34 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 113+ | 125.46 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 111+ | 128.05 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 106+ | 133.61 грн |
| 107+ | 132.29 грн |
| 108+ | 130.97 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 85+ | 167.27 грн |
| 90+ | 158.05 грн |
| 100+ | 152.79 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 589.19 грн |
| 50+ | 305.17 грн |
| 100+ | 277.69 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 35W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)






