Технічний опис IRFIBE30GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (04-Feb-2026).
Інші пропозиції IRFIBE30GPBF за ціною від 71.50 грн до 590.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFIBE30GPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Packaging: Tube |
на замовлення 1647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBE30GPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 1.4A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBE30GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 652 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBE30GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 118.94 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 124.86 грн |
| 8+ | 96.09 грн |
| 50+ | 74.89 грн |
| 100+ | 71.50 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 113+ | 125.74 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 159.89 грн |
| 4+ | 126.41 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 85+ | 167.65 грн |
| 90+ | 158.41 грн |
| 100+ | 153.13 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 282.87 грн |
| 10+ | 148.01 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
на замовлення 652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 293.56 грн |
| 10+ | 148.33 грн |
| 100+ | 107.13 грн |
| 500+ | 97.27 грн |
| 1000+ | 89.51 грн |
| 2000+ | 88.10 грн |
| IRFIBE30GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 590.50 грн |
| 50+ | 305.85 грн |
| 100+ | 278.31 грн |







