Продукція > VISHAY > IRFIBE30GPBF
IRFIBE30GPBF

IRFIBE30GPBF Vishay

91184.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFIBE30GPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 35W, Bauform - Transistor: TO-220FP, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції IRFIBE30GPBF за ціною від 62.27 грн до 179.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.63 грн
10+88.47 грн
13+76.51 грн
34+72.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : Vishay 91184.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
121+100.51 грн
Мінімальне замовлення: 121
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : Vishay 91184.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
119+102.11 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : Vishay Semiconductors 91184.pdf MOSFETs TO220 800V 2.1A N-CH MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.23 грн
10+98.55 грн
1000+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : Vishay 91184.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+107.69 грн
12+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : Vishay 91184.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
106+114.68 грн
107+113.55 грн
108+112.41 грн
Мінімальне замовлення: 106
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0013608752-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFIBE30GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 2.1 A, 3 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+120.17 грн
10+116.73 грн
100+115.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : Vishay Siliconix 91184.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BD907069CE9AA143&compId=IRFIBE30G.pdf?ci_sign=c15b139bb0cb5e69692309eff8b86ee12b4927cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.4A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 1.4A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 142 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.15 грн
10+106.16 грн
13+91.82 грн
34+87.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : Vishay 91184.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+179.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIBE30GPBF IRFIBE30GPBF Виробник : Vishay 91184.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 2.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.