| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 134+ | 105.55 грн |
| 136+ | 104.49 грн |
| 137+ | 103.60 грн |
| 145+ | 93.87 грн |
| 500+ | 77.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIBF20GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IRFIBF20GPBF за ціною від 79.44 грн до 211.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 129+ | 109.49 грн |
| 131+ | 108.40 грн |
| 133+ | 106.37 грн |
| 134+ | 102.00 грн |
| 500+ | 93.21 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 121+ | 117.02 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.48 грн |
| 50+ | 91.20 грн |
| 100+ | 90.88 грн |
| 500+ | 79.44 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 102+ | 138.87 грн |
| 110+ | 128.49 грн |
| 500+ | 103.69 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 89+ | 158.89 грн |
| 100+ | 151.79 грн |
| 250+ | 145.70 грн |
| 500+ | 135.42 грн |
| 1000+ | 121.30 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 203.77 грн |
| 10+ | 139.31 грн |
| 100+ | 128.90 грн |
| 500+ | 100.30 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 211.59 грн |
| 10+ | 150.43 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






