
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
134+ | 91.04 грн |
136+ | 90.13 грн |
137+ | 89.36 грн |
145+ | 80.96 грн |
500+ | 66.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIBF20GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: No, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.
Інші пропозиції IRFIBF20GPBF за ціною від 67.28 грн до 243.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 0.79A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 0 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 0 Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0 directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 1257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 0.79A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |