на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 134+ | 93.45 грн |
| 136+ | 92.52 грн |
| 137+ | 91.73 грн |
| 145+ | 83.11 грн |
| 500+ | 68.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIBF20GPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V, Power Dissipation (Max): 30W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFIBF20GPBF за ціною від 82.53 грн до 174.40 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 0.79A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 0.79A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |




