на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 134+ | 96.09 грн |
| 136+ | 95.13 грн |
| 137+ | 94.32 грн |
| 145+ | 85.46 грн |
| 500+ | 70.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIBF20GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IRFIBF20GPBF за ціною від 76.83 грн до 252.10 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFIBF20GPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| IRFIBF20GPBF | Виробник : VISHAY |
IRFIBF20GPBF THT N channel transistors |
на замовлення 40 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
|
IRFIBF20GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |