IRFIBF20GPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.25 грн |
| 50+ | 92.47 грн |
| 100+ | 92.14 грн |
| 500+ | 80.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIBF20GPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 900V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 30W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IRFIBF20GPBF за ціною від 88.10 грн до 342.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 0.79A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 900V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
IRFIBF20GPBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 28 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 102+ | 139.18 грн |
| 110+ | 128.78 грн |
| 500+ | 103.92 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 0.79A; 30W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 0.79A
Power dissipation: 30W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.15 грн |
| 10+ | 136.59 грн |
| 25+ | 130.65 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 204.22 грн |
| 10+ | 139.62 грн |
| 100+ | 129.19 грн |
| 500+ | 100.52 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 212.06 грн |
| 10+ | 150.77 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 900V 1.2A N-CH MOSFET
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 276.29 грн |
| 10+ | 142.66 грн |
| 100+ | 112.07 грн |
| 500+ | 92.33 грн |
| 1000+ | 88.10 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRFIBF20GPBF - N CHANNEL MOSFET, 900V, 1.2A TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 342.90 грн |
| 10+ | 194.88 грн |
| 25+ | 189.95 грн |
| 50+ | 172.56 грн |
| 100+ | 154.36 грн |
| 500+ | 134.62 грн |
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFIBF20GPBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
Trans MOSFET N-CH 900V 1.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






