IRFIBF30G Vishay


91186.pdf Виробник: Vishay
N-MOSFET 900V 1.9A 35W IRFIBF30G Vishay TIRFIBF30g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+52.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFIBF30G Vishay

Description: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFIBF30G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFIBF30G IRFIBF30G
Код товару: 52686
91186.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IRFIBF30G IRFIBF30G Виробник : Vishay 91186.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товар відсутній
IRFIBF30G IRFIBF30G Виробник : Vishay Siliconix 91186.pdf Description: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFIBF30G IRFIBF30G Виробник : Vishay / Siliconix 91186.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT IRFIBF30GPBF
товар відсутній