IRFIBF30GPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 262.13 грн |
| 50+ | 200.16 грн |
| 100+ | 171.57 грн |
| 500+ | 143.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIBF30GPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 900V 1.9A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 35W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFIBF30GPBF за ціною від 110.21 грн до 305.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFIBF30GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 900V 1.9A N-CH MOSFET |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFIBF30GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRFIBF30GPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 900V 1.9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IRFIBF30GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.2A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 1.2A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |


