IRFIZ14GPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 123.57 грн |
| 50+ | 51.33 грн |
| 100+ | 50.65 грн |
| 500+ | 43.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIZ14GPBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A TO220-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 27W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 4.8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFIZ14GPBF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFIZ14GPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 N-CH 60V 8A |
на замовлення 2855 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFIZ14GPBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 N-CH 60V 8A
MOSFETs TO220 N-CH 60V 8A
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)