IRFIZ24GPBF Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 14A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 25 V
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 114.54 грн |
50+ | 88.47 грн |
100+ | 72.8 грн |
500+ | 57.8 грн |
1000+ | 49.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIZ24GPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRFIZ24GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 37W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 37W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: No SVHC (19-Jan-2021).
Інші пропозиції IRFIZ24GPBF за ціною від 48.01 грн до 140.44 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFIZ24GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET 60V N-CH HEXFET MOSFET |
на замовлення 1903 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFIZ24GPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFIZ24GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 37W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFIZ24GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFIZ24GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFIZ24GPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 60V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFIZ24GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 37W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFIZ24GPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 56A; 37W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 14A Pulsed drain current: 56A Power dissipation: 37W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.1Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |