
IRFIZ34GPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFIZ34GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 215.70 грн |
10+ | 140.78 грн |
100+ | 127.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIZ34GPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFIZ34GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.05 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IRFIZ34GPBF за ціною від 86.76 грн до 276.27 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFIZ34GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1589 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFIZ34GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 1501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFIZ34GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFIZ34GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IRFIZ34GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
IRFIZ34GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |