
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 48.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFIZ48GPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFIZ48GPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 37 A, 0.018 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 37A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFIZ48GPBF за ціною від 62.74 грн до 243.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 26A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 26A; 50W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 26A Power dissipation: 50W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 403 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
на замовлення 2141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 9740 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 37A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFIZ48GPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |