на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 21.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL014TRPBF-BE3 Vishay
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IRFL014TRPBF-BE3 за ціною від 17.77 грн до 171.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT223 N-CH 60V 2.7A |
на замовлення 49558 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 2272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 4452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : Vishay |
Surface Mount Fast Switching, Low Resistance Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
| IRFL014TRPBF-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.7A Pulsed drain current: 22A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |