Технічний опис IRFL014TRPBF-BE3 Vishay
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: N Channel, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IRFL014TRPBF-BE3 за ціною від 17.55 грн до 157.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL014TRPBF-BE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFL014TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFL014TRPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT223 N-CH 60V 2.7A |
на замовлення 48703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFL014TRPBF-BE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IRFL014TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 4452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFL014TRPBF-BE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Surface Mount euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 2264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2264 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFL014TRPBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 44.66 грн |
| 5000+ | 39.20 грн |
| IRFL014TRPBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 45.50 грн |
| IRFL014TRPBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT223 N-CH 60V 2.7A
MOSFETs SOT223 N-CH 60V 2.7A
на замовлення 48703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.68 грн |
| 10+ | 59.66 грн |
| 100+ | 34.11 грн |
| 500+ | 26.85 грн |
| 1000+ | 23.61 грн |
| 2500+ | 20.72 грн |
| 5000+ | 17.55 грн |
| IRFL014TRPBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 148.21 грн |
| IRFL014TRPBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 4452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.00 грн |
| 10+ | 96.59 грн |
| 100+ | 65.82 грн |
| 500+ | 49.40 грн |
| 1000+ | 48.12 грн |
| IRFL014TRPBF-BE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - IRFL014TRPBF-BE3 - MOSFET, N-CH, 60V, 2.7A, SOT-223
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 2264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)