Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFL014TRPBF Vishay
IRFL014TRPBF

IRFL014TRPBF Vishay

sihfl014-datasheet.pdf
Код товару: 162075
Виробник: Vishay
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
у наявності 200 шт:
175 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
5 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+14.00 грн
10+12.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFL014TRPBF за ціною від 8.50 грн до 134.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF
Код товару: 196249
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : IR sihfl014-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 2,7 A
Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 300/11
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+11.00 грн
10+9.90 грн
100+8.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfl014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
219+55.79 грн
243+50.24 грн
250+49.73 грн
500+47.83 грн
1000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Mounting: SMD
Case: SOT223
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+61.07 грн
12+34.71 грн
54+16.94 грн
147+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0012362842-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL014TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+61.48 грн
16+53.48 грн
100+48.20 грн
500+43.83 грн
1000+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+69.22 грн
12+52.67 грн
25+51.81 грн
100+44.98 грн
250+41.23 грн
500+39.48 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfl014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 8458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.83 грн
10+52.03 грн
100+46.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BAB2C9D8692480C4&compId=IRFL014.pdf?ci_sign=e968744c4116c73c52897afdc5b5792ce1ca4476 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.7A; Idm: 22A; 3.1W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 11nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Mounting: SMD
Case: SOT223
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.29 грн
10+43.26 грн
54+20.32 грн
147+19.22 грн
10000+18.48 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfl014.pdf MOSFETs N-Chan 60V 2.7 Amp
на замовлення 5876 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.13 грн
10+60.83 грн
100+45.47 грн
10000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF Виробник : Siliconix sihfl014.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 200mOhm; 2,7A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFL014PBF; IRFL014TRPBF; IRFL014TRPBF-BE3; IRFL014 TIRFL014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014 Виробник : VISHAY sihfl014.pdf MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
2+134.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF Виробник : Vishay/IR sihfl014.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 2,7 A; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 300 @ 25; Qg, нКл = 11 @ 10 В; Rds = 200 мОм @ 1,6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; SOT-223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014 IRFL014 Виробник : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014TRPBF IRFL014TRPBF Виробник : Vishay sihfl014.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014 IRFL014 Виробник : Vishay Siliconix sihfl014.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL014 IRFL014 Виробник : Vishay / Siliconix sihfl014.pdf MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

0,1 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R1 – Hitano)
Код товару: 3427
Додати до обраних Обраний товар

rl_20190531-hitano.pdf
0,1 Ohm 5% 1W 2512 (RL2512JK-0R1 – Hitano)
Виробник: Hitano
SMD резистори > 2512
Номінал: 0,1 Ohm
Точність: ±5%
Pном,W: 1 W
Uном,V: 200 V (500 V max over load)
Типорозмір: 2512
у наявності: 1361 шт
981 шт - склад
380 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується: 4000 шт
4000 шт - очікується
Кількість Ціна
10+2.30 грн
100+2.00 грн
1000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
0,12 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R12)
Код товару: 3285
Додати до обраних Обраний товар

SQP_080911.pdf
0,12 Ohm 5W 5% (SQP50JB-0R12)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 0,12 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
у наявності: 136 шт
50 шт - склад
39 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Харків
9 шт - РАДІОМАГ-Одеса
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
2+7.00 грн
10+6.30 грн
100+5.50 грн
1000+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
150uF 400V ELP 25x30mm (ELP151M2GBB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2510
Додати до обраних Обраний товар

ELP_080522.pdf
150uF 400V ELP 25x30mm (ELP151M2GBB-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 150 µF
Номін.напруга: 400 V
Серія: ELP
Тип: з жорсткими виводами, 85С
Темп.діап.: -25...+85°C
Габарити: 25x30mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 102 шт
80 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Львів
5 шт - РАДІОМАГ-Харків
5 шт - РАДІОМАГ-Одеса
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість Ціна
1+58.00 грн
10+53.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
470pF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B471K500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 1917
Додати до обраних Обраний товар

X7R_X5R.pdf
470pF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B471K500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 470 pF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 2900 шт
2900 шт - склад
Кількість Ціна
10+1.10 грн
100+0.90 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B102K500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Код товару: 1904
Додати до обраних Обраний товар

X7R_X5R.pdf
1nF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B102K500NT-Hitano) (конденсатори керамічні SMD)
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 1206
Ємність: 1 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 1206
у наявності: 3632 шт
3152 шт - склад
480 шт - РАДІОМАГ-Одеса
очікується: 4000 шт
4000 шт - очікується
Кількість Ціна
20+0.90 грн
100+0.80 грн
1000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.