Продукція > VISHAY > IRFL110TRPBF
IRFL110TRPBF

IRFL110TRPBF Vishay

sihfl110.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL110TRPBF Vishay

Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFL110TRPBF за ціною від 14 грн до 207.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+22.48 грн
5000+ 20.5 грн
12500+ 18.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : VISHAY IRFL110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Power dissipation: 3.1W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.54Ω
Drain current: 0.96A
Gate charge: 8.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+22.91 грн
25+ 19.22 грн
54+ 14.76 грн
148+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 17
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : VISHAY IRFL110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Power dissipation: 3.1W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.54Ω
Drain current: 0.96A
Gate charge: 8.3nC
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 12A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+27.49 грн
25+ 23.95 грн
54+ 17.71 грн
148+ 16.8 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+31.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 9026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+41.24 грн
500+ 37.61 грн
1000+ 33.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
244+47.94 грн
246+ 47.49 грн
295+ 39.66 грн
298+ 37.86 грн
500+ 30.09 грн
1000+ 19.58 грн
Мінімальне замовлення: 244
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+50.95 грн
13+ 44.52 грн
25+ 44.1 грн
100+ 35.51 грн
250+ 32.55 грн
500+ 26.82 грн
1000+ 18.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 9026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+52.85 грн
50+ 47.08 грн
100+ 41.24 грн
500+ 37.61 грн
1000+ 33.96 грн
Мінімальне замовлення: 14
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfl110.pdf MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp
на замовлення 33772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+56.5 грн
10+ 47.89 грн
100+ 34.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 13776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+59.15 грн
10+ 49.35 грн
100+ 34.18 грн
500+ 26.8 грн
1000+ 22.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
186+62.93 грн
292+ 40.07 грн
340+ 34.34 грн
Мінімальне замовлення: 186
IRFL110PBF Виробник : Vishay/IR sihfl110.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,5 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25; Qg, нКл = 8,3 @ 10 В; Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 3,1; SOT-223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+207.99 грн
10+ 65.86 грн
100+ 61.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF
Код товару: 23062 		Виробник : Vishay sihfl110.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,5 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRFL110PBF IRFL110PBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
товар відсутній
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
IRFL110PBF IRFL110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товар відсутній