Продукція > VISHAY > IRFL110TRPBF
IRFL110TRPBF

IRFL110TRPBF Vishay

sihfl110.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+24.44 грн
5000+21.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL110TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFL110TRPBF за ціною від 15.50 грн до 71.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
463+26.31 грн
470+25.90 грн
478+25.50 грн
486+24.19 грн
500+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 463
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+71.31 грн
50+52.18 грн
100+35.66 грн
500+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF
Код товару: 23062
Додати до обраних Обраний товар

Виробник : Vishay sihfl110.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Uds,V: 100 V
Idd,A: 1,5 A
Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+16.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.69 грн
5000+20.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+24.43 грн
26+24.05 грн
100+22.83 грн
250+20.80 грн
500+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.85 грн
5000+19.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.66 грн
500+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+41.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AD5EDD8CD4469&compId=IRFL110PBF.pdf?ci_sign=d6163363db908cdabaaa8ae9f6493621a6f13ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.47 грн
50+37.19 грн
55+16.40 грн
150+15.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 7760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.95 грн
10+48.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8AD5EDD8CD4469&compId=IRFL110PBF.pdf?ci_sign=d6163363db908cdabaaa8ae9f6493621a6f13ae8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.54Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+60.56 грн
50+46.34 грн
55+19.68 грн
150+18.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfl110.pdf MOSFETs N-Chan 100V 1.5 Amp
на замовлення 23323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.34 грн
10+50.65 грн
25+43.61 грн
100+35.63 грн
500+29.75 грн
1000+25.33 грн
2500+22.86 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110PBF Виробник : Vishay/IR sihfl110.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,5 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25; Qg, нКл = 8,3 @ 10 В; Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 3,1; SOT-223
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110PBF IRFL110PBF Виробник : Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110PBF IRFL110PBF Виробник : Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.