Продукція > VISHAY > IRFL110TRPBF
IRFL110TRPBF

IRFL110TRPBF Vishay

sihfl110.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 2500 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL110TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 1.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, Verlustleistung: 2W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.

Інші пропозиції IRFL110TRPBF за ціною від 16.75 грн до 169.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.98 грн
7500+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY IRFL110PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 8.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.43 грн
54+17.66 грн
147+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay Semiconductors sihfl110.pdf MOSFETs N-Chan 100V 1.5 Amp
на замовлення 25881 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+101.53 грн
10+70.73 грн
100+40.44 грн
500+31.81 грн
1000+27.94 грн
2500+24.57 грн
5000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay sihfl110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+148.83 грн
180+79.33 грн
500+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF Vishay Siliconix sihfl110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 21729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.69 грн
10+104.36 грн
50+79.06 грн
100+66.51 грн
500+53.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110TRPBF VISHAY VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110PBF Vishay/IR IRFL110_Vishay.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 3,1,... Транзистори Корпус: SOT-223 О
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
2500+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+45.98 грн
7500+39.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF IRFL110PBF.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.96A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.54Ω
Pulsed drain current: 12A
Gate charge: 8.3nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+92.43 грн
54+17.66 грн
147+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 100V 1.5 Amp
на замовлення 25881 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+101.53 грн
10+70.73 грн
100+40.44 грн
500+31.81 грн
1000+27.94 грн
2500+24.57 грн
5000+22.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
96+148.83 грн
180+79.33 грн
500+61.66 грн
Мінімальне замовлення: 96 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF sihfl110.pdf
IRFL110TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 21729 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.69 грн
10+104.36 грн
50+79.06 грн
100+66.51 грн
500+53.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110TRPBF VISH-S-A0014148110-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL110TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL110PBF IRFL110_Vishay.pdf
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,5 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25, Qg, нКл = 8,3 @ 10 В, Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Ptot2, Вт = 3,1,... Транзистори Корпус: SOT-223 О
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 3-4 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+67.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.