на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 13.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL110TRPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFL110TRPBF за ціною від 14.12 грн до 207.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFL110TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.96A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.96A; Idm: 12A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.96A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 9026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL110TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 1.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm |
на замовлення 9026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 100V 1.5 Amp |
на замовлення 34917 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 13801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110PBF | Виробник : Vishay/IR | N-канальний ПТ; Udss, В = 100; Id = 1,5 А; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 180 @ 25; Qg, нКл = 8,3 @ 10 В; Rds = 540 мОм @ 900 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; Ptot2, Вт = 3,1; SOT-223 |
на замовлення 3 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRFL110TRPBF Код товару: 23062 |
Виробник : Vishay |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-223 Uds,V: 100 V Idd,A: 1,5 A Rds(on), Ohm: 0,54 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 180/8,3 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
||||||||||||||||||
IRFL110PBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFL110TRPBF | Виробник : Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 1.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRFL110PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 900mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
товар відсутній |