Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL210TRPBF-BE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFL210TRPBF-BE3 за ціною від 19.90 грн до 156.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFL210TRPBF-BE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFL210TRPBF-BE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs SOT223 200V .96A N-CH MOSFET |
на замовлення 5617 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFL210TRPBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRFL210TRPBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 24.74 грн |
| IRFL210TRPBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SOT223 200V .96A N-CH MOSFET
MOSFETs SOT223 200V .96A N-CH MOSFET
на замовлення 5617 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.84 грн |
| 10+ | 64.38 грн |
| 100+ | 36.92 грн |
| 500+ | 29.04 грн |
| 1000+ | 24.82 грн |
| 2500+ | 20.11 грн |
| 5000+ | 19.90 грн |
| IRFL210TRPBF-BE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.65 грн |
| 10+ | 96.38 грн |
| 100+ | 65.67 грн |
| 500+ | 49.29 грн |
| 1000+ | 48.02 грн |