на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 25.10 грн |
| 5000+ | 23.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL210TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 960mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFL210TRPBF за ціною від 24.68 грн до 63.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFL210TRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 27500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL210TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL210TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL210TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL210TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL210TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 7.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL210TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 0.6A Pulsed drain current: 7.7A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 427 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL210TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
на замовлення 10840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL210TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 960mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL210TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 200V 0.96 Amp |
на замовлення 6203 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFL210TRPBF Код товару: 168728
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
 |
IRFL210TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |