Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFL210TRPBF

IRFL210TRPBF

sihfl210.pdf
Код товару: 168728
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFL210TRPBF за ціною від 27.09 грн до 159.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.29 грн
5000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY IRFL210.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Pulsed drain current: 7.7A
Drain current: 0.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.26 грн
10+43.34 грн
100+31.74 грн
250+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
215+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 960mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.69 грн
14+61.70 грн
100+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Semiconductors sihfl210.pdf MOSFETs N-Chan 200V 0.96 Amp
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.02 грн
10+66.32 грн
100+39.94 грн
5000+39.73 грн
10000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay Siliconix sihfl210.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 7073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.02 грн
10+98.28 грн
100+66.95 грн
500+50.25 грн
1000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210TRPBF Vishay sihfl210.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+46.29 грн
5000+42.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF IRFL210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; Idm: 7.7A; 3.1W; SOT223
Pulsed drain current: 7.7A
Drain current: 0.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 1.5Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
8+59.26 грн
10+43.34 грн
100+31.74 грн
250+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
215+65.86 грн
Мінімальне замовлення: 215 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF VISH-S-A0012362806-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL210TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL210TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 960 mA, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 960mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+83.69 грн
14+61.70 грн
100+40.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs N-Chan 200V 0.96 Amp
на замовлення 4548 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+105.02 грн
10+66.32 грн
100+39.94 грн
5000+39.73 грн
10000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 960mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 580mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 7073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+159.02 грн
10+98.28 грн
100+66.95 грн
500+50.25 грн
1000+48.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL210TRPBF sihfl210.pdf
IRFL210TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 0.96A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.