на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL214TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFL214TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 790 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 250V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 790mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IRFL214TRPBF за ціною від 37.96 грн до 136.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL214TRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFL214TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs SOT223 250V .79A N-CH MOSFET |
на замовлення 1823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFL214TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL214TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 790 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 790mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFL214TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 0.79A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
IRFL214TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL214TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 790 mA, 2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 790mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IRFL214TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
|
IRFL214TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 790mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 470mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |