Технічний опис IRFL9110 IR
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223, Packaging: Tube, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFL9110
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFL9110 | Виробник : IR |
 07+ SOT-223 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFL9110 | Виробник : IR |
09+ |
на замовлення 3618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| IRFL9110 | Виробник : IR |
SOT-223 |
на замовлення 72500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRFL9110 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFL9110 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Packaging: Tube Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFL9110 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFL |
товару немає в наявності |