Продукція > VISHAY SILICONIX > IRFL9110TRPBF-BE3
IRFL9110TRPBF-BE3

IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix

sihfl911.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.13 грн
5000+52.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL9110TRPBF-BE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFL9110TRPBF-BE3 за ціною від 19.91 грн до 183.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihfl911.pdf MOSFETs SOT223 100V 1.1A P-CH MOSFET
на замовлення 42151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.09 грн
10+59.21 грн
100+33.58 грн
500+25.81 грн
1000+23.38 грн
2500+21.23 грн
5000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : VISHAY VISHS97181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF-BE3 - MOSFET, P-CH, 100V, 1.1A, SOT-223
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+101.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfl911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
122+114.72 грн
128+109.58 грн
250+105.19 грн
500+97.78 грн
1000+87.57 грн
Мінімальне замовлення: 122
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihfl911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 5948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.43 грн
10+114.33 грн
100+78.58 грн
500+60.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay Siliconix IRFL9110PBF_Vishay.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 1,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 200 @ 25, Qg, нКл = 8,7 @ 10 В, Rds = 1,2 Ом @ 660 мA, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2, 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOT-223 Од.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна
5+124.80 грн
10+98.98 грн
100+84.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : Vishay sihfl911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 sihfl911.pdf MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF-BE3 Виробник : VISHAY sihfl911.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.