 
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2500+ | 17.46 грн | 
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL9110TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025). 
Інші пропозиції IRFL9110TRPBF за ціною від 20.31 грн до 70.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1325 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 5000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 13635 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 1325 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 12500 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |  Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 13635 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |  MOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp | на замовлення 70589 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.69A Pulsed drain current: -8.8A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 1140 шт:термін постачання 21-30 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 25000 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |  Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.69A Pulsed drain current: -8.8A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1140 шт:термін постачання 14-21 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |  Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V | на замовлення 25625 шт:термін постачання 21-31 дні (днів) | 
 | ||||||||||||||||
|   | irfl9110trpbf Код товару: 22352 
            
                            Додати до обраних
                Обраний товар
                 |   8542 39 90 00 | товару немає в наявності | ||||||||||||||||||
|   | IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |  Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності |