
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 17.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL9110TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFL9110TRPBF за ціною від 17.49 грн до 80.80 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 13635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 13635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 72493 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.69A Pulsed drain current: -8.8A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 26522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -0.69A Pulsed drain current: -8.8A Power dissipation: 3.1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.7nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1253 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
irfl9110trpbf Код товару: 22352
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() 8542 39 90 00 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
![]() |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |