на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 17.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFL9110TRPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFL9110TRPBF за ціною від 21.87 грн до 196.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp |
на замовлення 68434 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 13635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W Mounting: SMD Case: SOT223 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -8.8A Drain current: -0.69A Gate charge: 8.7nC On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 3.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 13415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL9110TRPBF | Виробник : VISHAY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W Mounting: SMD Case: SOT223 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Pulsed drain current: -8.8A Drain current: -0.69A Gate charge: 8.7nC On-state resistance: 1.2Ω Power dissipation: 3.1W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1022 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V |
на замовлення 25605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
irfl9110trpbf Код товару: 22352
Додати до обраних
Обраний товар
|
8542 39 90 00 |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||||
|
|
IRFL9110TRPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |