Продукція > VISHAY > IRFL9110TRPBF
IRFL9110TRPBF

IRFL9110TRPBF Vishay

sihfl911.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFL9110TRPBF Vishay

Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції IRFL9110TRPBF за ціною від 17.01 грн до 87.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : Vishay sihfl911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.32 грн
10000+36.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : Vishay sihfl911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+41.64 грн
25+41.24 грн
100+39.39 грн
250+36.11 грн
500+34.33 грн
1000+33.99 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : Vishay sihfl911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
273+44.84 грн
275+44.41 грн
278+43.99 грн
281+42.00 грн
500+38.51 грн
1000+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 273
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfl911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+56.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0012362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+64.04 грн
500+58.24 грн
1000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : Vishay Siliconix sihfl911.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 27808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : Vishay Semiconductors sihfl911.pdf MOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp
на замовлення 82756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.75 грн
10+68.95 грн
100+56.79 грн
2500+56.72 грн
25000+55.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : VISHAY IRFL9110PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8.8A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+72.62 грн
8+49.51 грн
10+42.00 грн
50+18.01 грн
138+17.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : VISHAY VISH-S-A0012362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+84.18 грн
50+68.09 грн
100+64.04 грн
500+58.24 грн
1000+52.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : VISHAY IRFL9110PBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -8.8A
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -0.69A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.15 грн
5+61.69 грн
10+50.39 грн
50+21.61 грн
138+20.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF Виробник : Infineon sihfl911.pdf Транз. Пол. ММ P-HEXFET SOT223 Udss=-100V; Id=-1,1A; Pdmax=2W; Rds=1,2 Ohm
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
10+29.15 грн
12+23.95 грн
100+21.77 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
irfl9110trpbf irfl9110trpbf
Код товару: 22352
Додати до обраних Обраний товар

sihfl911.pdf
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Виробник : Vishay sihfl911.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.