Продукція > irf > irfl9110trpbf
irfl9110trpbf

irfl9110trpbf

sihfl911.pdf
Код товару: 22352
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
8542 39 90 00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис irfl9110trpbf

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transistor Polarity:P Channel
  • Drain Source Voltage, Vds:-100V
  • Continuous Drain Current, Id:-1.1A
  • On Resistance, Rds(on):1.2ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:-10V
  • Package/Case:SOT-223

Інші пропозиції irfl9110trpbf за ціною від 20.93 грн до 198.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Vishay sihfl911.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.62 грн
5000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Vishay sihfl911.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.62 грн
5000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.62 грн
500+36.65 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Vishay sihfl911.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.98 грн
16+48.01 грн
25+47.53 грн
100+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Vishay Siliconix sihfl911.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.48 грн
5000+53.74 грн
7500+52.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY IRFL9110PBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.49 грн
10+54.64 грн
50+40.55 грн
100+35.89 грн
250+31.05 грн
500+28.08 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF VISHAY VISH-S-A0012362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+81.41 грн
50+53.86 грн
100+46.62 грн
500+36.65 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Vishay sihfl911.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
152+93.45 грн
194+73.10 грн
250+65.42 грн
500+49.99 грн
1000+39.60 грн
2500+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Vishay Semiconductors sihfl911.pdf description MOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp
на замовлення 47650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+93.74 грн
10+58.60 грн
100+38.77 грн
500+30.52 грн
1000+26.08 грн
2500+23.61 грн
5000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Vishay Siliconix sihfl911.pdf description Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 21091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.23 грн
10+123.32 грн
100+84.76 грн
500+64.09 грн
1000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF IRFL9110TRPBF Vishay sihfl911.pdf description Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description sihfl911.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+40.62 грн
5000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description sihfl911.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+40.62 грн
5000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description VISH-S-A0012362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL9110TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+46.62 грн
500+36.65 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description sihfl911.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
14+56.98 грн
16+48.01 грн
25+47.53 грн
100+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description sihfl911.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+59.48 грн
5000+53.74 грн
7500+52.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description IRFL9110PBF.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.69A; Idm: -8.8A; 3.1W
Pulsed drain current: -8.8A
Drain current: -0.69A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 3.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
на замовлення 2393 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+79.49 грн
10+54.64 грн
50+40.55 грн
100+35.89 грн
250+31.05 грн
500+28.08 грн
1000+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description VISH-S-A0012362829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFL9110TRPBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFL9110TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 1.1 A, 1.2 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 7487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
11+81.41 грн
50+53.86 грн
100+46.62 грн
500+36.65 грн
1000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description sihfl911.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
152+93.45 грн
194+73.10 грн
250+65.42 грн
500+49.99 грн
1000+39.60 грн
2500+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 152 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description sihfl911.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs P-Chan 100V 1.1 Amp
на замовлення 47650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+93.74 грн
10+58.60 грн
100+38.77 грн
500+30.52 грн
1000+26.08 грн
2500+23.61 грн
5000+20.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description sihfl911.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 660mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 200 pF @ 25 V
на замовлення 21091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+198.23 грн
10+123.32 грн
100+84.76 грн
500+64.09 грн
1000+60.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL9110TRPBF description sihfl911.pdf
IRFL9110TRPBF
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 100V 1.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.