
IRFP048PBF Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 313.55 грн |
25+ | 200.69 грн |
100+ | 176.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP048PBF Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFP048PBF за ціною від 158.91 грн до 366.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP048PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFP048PBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFP048PBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRFP048PBF | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
IRFP048PBF Код товару: 75654
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP048PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFP048PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFP048PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRFP048PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 290A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
IRFP048PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 290A |
товару немає в наявності |