
IRFP048RPBF VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 290A
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 238.51 грн |
11+ | 85.83 грн |
30+ | 81.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP048RPBF VISHAY
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V, Power Dissipation (Max): 190W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFP048RPBF за ціною від 97.48 грн до 286.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP048RPBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; Idm: 290A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 290A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 469 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
IRFP048RPBF | Виробник : IR |
![]() |
на замовлення 375 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
![]() |
IRFP048RPBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRFP048RPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IRFP048RPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |