IRFP064
Код товару: 30168
Виробник: IRUds,V: 60 V
Idd,A: 70 A
Rds(on), Ohm: 0,009 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7400/190
Монтаж: THT
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP064 IR
- Single N-Channel HEXFET Power MOSFET, Dr
- Case style: TO-247
- Current, Id cont: 70A @ 25`C
- Current, Idm pulse: 520A
- Power, Pd: 300W @ 25`C
- Resistance, Rds on: 0.009R
- Transistor polarity: N Channel
- Voltage, Vds max: 60V
- Manufacturer, abbreviated: IR
- Pitch, lead: 5.45mm
- Power dissipation: 300W @ 25`C
- Temperature, current: 25`C
- Temperature, power rating: 25`C
- Transistors, number of: 1
Інші пропозиції IRFP064
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP064 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|
 |
IRFP064 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFP064 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP064PBF |
товар відсутній |