
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 117.30 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP064PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFP064PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.009 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 70A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFP064PBF за ціною від 150.60 грн до 450.38 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP064PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP064PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP064PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP064PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP064PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube |
на замовлення 254 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP064PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP064PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 300W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 300W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP064PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 726 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP064PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP064PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |