
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 47.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP140PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFP140PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 31 A, 0.077 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 31A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFP140PBF за ціною від 64.37 грн до 335.89 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 425 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 22A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 77mΩ Mounting: THT Gate charge: 72nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 425 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85414100 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 31A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.077ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IRFP140PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |