IRFP150

IRFP150 Harris Corporation


HRISD017-4-483.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Harris Corporation
Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 12771 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
198+102.78 грн
Мінімальне замовлення: 198
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP150 Harris Corporation

Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFP150

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFP150`
на замовлення 1366 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRFP150 IRFP150 Виробник : Vishay 91203.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 41A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFP150 IRFP150 Виробник : ON Semiconductor irfp150.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товар відсутній
IRFP150 IRFP150 Виробник : Vishay Siliconix HRISD017-4-483.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFP150 IRFP150 Виробник : Vishay / Siliconix HRISD017-4-483.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP150PBF
товар відсутній
IRFP150 IRFP150 Виробник : STMicroelectronics HRISD017-4-483.pdf?t.download=true&u=5oefqw MOSFET
товар відсутній
IRFP150 IRFP150 Виробник : onsemi / Fairchild FairchildSemiconductor_1614842433693.pdf MOSFET
товар відсутній