IRFP150 Siliconix
Виробник: Siliconix
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 41A; 230W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP150; IRFP150; IRFP150 TIRFP150
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 55mOhm; 41A; 230W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFP150; IRFP150; IRFP150 TIRFP150
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 101.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP150 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 230W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFP150 за ціною від 107.33 грн до 132.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP150 | Виробник : HARRIS | IRFP150 |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFP150 | Виробник : HARRIS | IRFP150 |
на замовлення 10293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFP150 | Виробник : HARRIS | IRFP150 |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
IRFP150` |
на замовлення 1366 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
![]() |
IRFP150 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP150 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP150 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 41A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP150 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP150 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP150 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |