IRFP17N50LPBF Vishay Semiconductors
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 554.63 грн |
| 10+ | 426.21 грн |
| 25+ | 326.31 грн |
| 100+ | 273.57 грн |
| 500+ | 272.86 грн |
| 2500+ | 271.46 грн |
| 5000+ | 270.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP17N50LPBF Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-247AC, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 220W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IRFP17N50LPBF за ціною від 566.47 грн до 566.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP17N50LPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFP17N50LPBF | IR | 09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP17N50LPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 9.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 566.47 грн |
| IRFP17N50LPBF |
Виробник: IR
09+
09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)



