IRFP21N60L

Виробник:

на замовлення 608 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Технічний опис IRFP21N60L

Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 330W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFP21N60L

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRFP21N60L Код товару: 24841 Додати до обраних Обраний товар		Транзистори > Польові N-канальні	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFP21N60L	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFP21N60L	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFP21N60L	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.