Продукція > VISHAY > IRFP21N60LPBF
IRFP21N60LPBF

IRFP21N60LPBF VISHAY


VISH-S-A0011299544-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP21N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.32 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
на замовлення 471 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+502.60 грн
10+374.68 грн
100+337.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFP21N60LPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFP21N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.32 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 330W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm.

Інші пропозиції IRFP21N60LPBF за ціною від 502.95 грн до 541.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Виробник : Vishay irfp21n60l.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+502.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Виробник : Vishay irfp21n60l.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+541.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF Виробник : IR
на замовлення 370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Виробник : Vishay sihfp21n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF Виробник : VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Pulsed drain current: 84A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Виробник : Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF IRFP21N60LPBF Виробник : Vishay Semiconductors MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP21N60LPBF Виробник : VISHAY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; Idm: 84A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 150nC
Pulsed drain current: 84A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.