Технічний опис IRFP23N50L IR
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 370W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFP23N50L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFP23N50L | Виробник : IR |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
 |
IRFP23N50L | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 500V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|
 |
IRFP23N50L | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 23A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFP23N50L | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP23N50LPBF |
товар відсутній |