Технічний опис IRFP250PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 180W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm.
Інші пропозиції IRFP250PBF за ціною від 132.06 грн до 527.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 3304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 3304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 19A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.85Ω Mounting: THT Gate charge: 0.14µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 546 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V |
на замовлення 2861 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET |
на замовлення 2257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
IRFP250PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 180W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 206.69 грн |
| 25+ | 204.62 грн |
| 50+ | 202.55 грн |
| 100+ | 183.35 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 266.92 грн |
| 54+ | 264.24 грн |
| 100+ | 224.49 грн |
| 500+ | 162.36 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 270.79 грн |
| 25+ | 268.09 грн |
| 50+ | 265.40 грн |
| 100+ | 225.48 грн |
| 500+ | 163.07 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 546 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 314.51 грн |
| 5+ | 238.72 грн |
| 10+ | 214.17 грн |
| 25+ | 187.08 грн |
| 50+ | 170.15 грн |
| 100+ | 154.91 грн |
| 125+ | 150.68 грн |
| 500+ | 132.06 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 37+ | 385.92 грн |
| 42+ | 337.18 грн |
| 50+ | 306.89 грн |
| 100+ | 269.26 грн |
| 125+ | 242.26 грн |
| 500+ | 204.34 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 527.71 грн |
| 25+ | 299.87 грн |
| 50+ | 272.90 грн |
| 100+ | 234.81 грн |
| 500+ | 197.51 грн |
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 200V 30A N-CH MOSFET
на замовлення 2257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFP250PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
Description: VISHAY - IRFP250PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 30 A, 0.085 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 180W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







