на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 291.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP26N60LPBF Vishay
Description: VISHAY - IRFP26N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 470W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm.
Інші пропозиції IRFP26N60LPBF за ціною від 230.52 грн до 639.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP26N60LPBF | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - IRFP26N60LPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 26 A, 0.25 ohm, TO-247, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 470W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP26N60LPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 1399 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFP26N60LPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 26A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 470W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 25 V |
на замовлення 1786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IRFP26N60LPBF | Виробник : VISHAY |
|
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
IRFP26N60LPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| IRFP26N60LPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 100A; 470W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 470W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| IRFP26N60LPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 26A; Idm: 100A; 470W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 26A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 470W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.25Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |