на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP27N60KPBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFP27N60KPBF за ціною від 228.22 грн до 702.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP27N60KPBF | Виробник : VISHAY |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP27N60KPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; 500W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Power dissipation: 500W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 218 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP27N60KPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP27N60KPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 25 V |
на замовлення 3275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP27N60KPBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFP27N60K |
на замовлення 3412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP27N60KPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP27N60KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.22 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP27N60KPBF Код товару: 91814 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|