IRFP32N50K Siliconix
Виробник: Siliconix
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 269.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP32N50K Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V, Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10, Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25.
Інші пропозиції IRFP32N50K за ціною від 125.00 грн до 269.75 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRFP32N50K | Виробник : Siliconix |
Transistor N-MOSFET; 500V; 30V; 160mOhm; 32A; 460W; -55°C~150°C; Substitute: IRFP32N50K; IRFP32N50K TIRFP32n50k кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
![]() |
IRFP32N50K Код товару: 57713
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 32 A Rds(on), Ohm: 0,135 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5280/190 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||
IRFP32N50K | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||
![]() |
IRFP32N50K | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
товару немає в наявності |
|||||
![]() |
IRFP32N50K | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP |
товару немає в наявності |