IRFP32N50KPBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 20A
Power dissipation: 460W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 582.89 грн |
| 4+ | 270.63 грн |
| 10+ | 255.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP32N50KPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFP32N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 32 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 460W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFP32N50KPBF за ціною від 306.41 грн до 717.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFP32N50KPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP32N50KPBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFP32N50KPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 32 A, 0.16 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 460W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IRFP32N50KPBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 20A; 460W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 20A Power dissipation: 460W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Gate charge: 0.19µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP32N50KPBF | Виробник : Vishay Semiconductors | MOSFETs TO247 500V 32A N-CH MOSFET |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IRFP32N50KPBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IRFP32N50KPBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 32A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 460W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |