
IRFP350PBF VISHAY

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 10A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 265.74 грн |
9+ | 110.35 грн |
23+ | 104.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP350PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFP350PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 16 A, 0.3 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції IRFP350PBF за ціною від 124.15 грн до 332.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 10A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 10A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 315 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 1520 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF Код товару: 75598
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
![]() |
IRFP350PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |