
IRFP448PBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFP448PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 419.24 грн |
10+ | 326.81 грн |
100+ | 254.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP448PBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFP448PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.6 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IRFP448PBF за ціною від 181.71 грн до 432.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP448PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRFP448PBF | Виробник : VISHAY |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
![]() |
IRFP448PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFP448PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IRFP448PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRFP448PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
IRFP448PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 6.6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
IRFP448PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 84nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |