
IRFP460PBF Infineon Technologies
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
95+ | 321.29 грн |
100+ | 305.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFP460PBF Infineon Technologies
Description: VISHAY - IRFP460PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 20 A, 0.27 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 280W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Можливі заміни IRFP460PBF Infineon Technologies
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP460PBF Код товару: 192334
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 500 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT |
у наявності: 43 шт
16 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції IRFP460PBF за ціною від 84.60 грн до 377.21 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP460PBF Код товару: 23707
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
![]() Uds,V: 500 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||
![]() |
IRFP460PBF Код товару: 192334
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Siliconix |
![]() Корпус: TO-247 Uds,V: 500 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT |
у наявності: 43 шт
16 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ 3 шт - РАДІОМАГ-Львів 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||
IRFP460PBF Код товару: 149448
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : IR |
![]() Uds,V: 500 V Idd,A: 20 A Rds(on), Ohm: 0,27 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 4200/210 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
|||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 280W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A Power dissipation: 280W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: THT Gate charge: 0.21µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 609 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V |
на замовлення 2258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
IRFP460PBF | Виробник : Vishay/IR |
![]() |
на замовлення 650 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 280W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP460PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
товару немає в наявності |