
IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon)

Код товару: 56397
Виробник: InfineonUds,V: 300 V
Idd,A: 70 A
Rds(on), Ohm: 25,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10774/180
Монтаж: THT
у наявності 28 шт:
15 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 390.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon) за ціною від 178.77 грн до 703.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP4868PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 517W Gate charge: 180nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP4868PBF | Виробник : INFINEON |
![]() ![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP4868PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Case: TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 517W Gate charge: 180nC Technology: HEXFET® Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
BC817-40 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 17873
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
у наявності: 34741 шт
33628 шт - склад
71 шт - РАДІОМАГ-Київ
480 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
372 шт - РАДІОМАГ-Одеса
188 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
71 шт - РАДІОМАГ-Київ
480 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
372 шт - РАДІОМАГ-Одеса
188 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 1.50 грн |
12+ | 0.90 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.60 грн |
2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano) Код товару: 16343
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 2,2 nF
Номін.напруга: 3k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 mm
Part Number: KF3F222Z-L016BD8.5
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 2,2 nF
Номін.напруга: 3k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 mm
Part Number: KF3F222Z-L016BD8.5
у наявності: 1199 шт
985 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
92 шт - РАДІОМАГ-Львів
88 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
92 шт - РАДІОМАГ-Львів
88 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 4.00 грн |
10+ | 3.60 грн |
100+ | 3.20 грн |
1000+ | 2.80 грн |
BC807-40 Код товару: 3638
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 600
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 600
у наявності: 3 шт
3 шт - склад
очікується:
20 шт
20 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 1.50 грн |
12+ | 0.90 грн |
100+ | 0.70 грн |
1000+ | 0.50 грн |
2 Ohm 5W 5% (SQP50JB-2R) Код товару: 2448
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 2 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 2 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
у наявності: 386 шт
259 шт - склад
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Одеса
46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
26 шт - РАДІОМАГ-Одеса
46 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 7.00 грн |
10+ | 6.30 грн |
100+ | 5.50 грн |
1000+ | 5.00 грн |
BC857C Код товару: 2027
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 800
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 800
у наявності: 194 шт
192 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
2 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 1.50 грн |
10+ | 1.00 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.50 грн |