IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon)
Код товару: 56397
Виробник: InfineonКорпус: TO-247AC
Uds,V: 300 V
Idd,A: 70 A
Rds(on), Ohm: 25,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 10774/180
Монтаж: THT
у наявності 18 шт:
3 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 390.00 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRFP4868PBF (TO-247AC, Infineon) за ціною від 183.44 грн до 603.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IRFP4868 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP4868PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Power dissipation: 517W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP4868PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFP4868PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 70 A, 0.0255 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 517W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 300V, 70A, 32 mOhm 180 nC Qg, TO-247AC |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP4868PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 70A Power dissipation: 517W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 180nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 1504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
IRFP4868PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 300V 70A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 517W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10774 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| BC817-40 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 17873
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45 V
Ucbo,V: 50 V
Ic,A: 0,5 A
h21: 600
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.60 грн |
| 2,2nF 3kV Z5V Z(-20/+80%) D<=8,5mm (KF3F222Z-L016BD8.5-Hitano) Код товару: 16343
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 2,2 nF
Номін.напруга: 3k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 mm
Part Number: KF3F222Z-L016BD8.5
Керамічні конденсатори вивідні > Високовольтні керамічні конденсатори
Ємність: 2,2 nF
Номін.напруга: 3k V
ТКЕ: Z5V
Точність: -20/+80% Z
Габарити: D<=8,5 mm
Part Number: KF3F222Z-L016BD8.5
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 4.50 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.30 грн |
| BC807-40 Код товару: 3638
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 600
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 80 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,5 A
h21,max: 600
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.70 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |
| 2 Ohm 5W 5% (SQP50JB-2R) Код товару: 2448
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 2 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
Вивідні резистори > Резистори цементні вивідні 2 ... 25W
Номінал: 2 Ohm
Потужність: 5 W
Точність: ±5%
U роб.макс.: 750 V
Розміри, мм: 22,0x10,0x9,5; dвив. = 0,8
Тип: виводні, цементні, дротяні
у наявності: 250 шт
126 шт - склад
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
43 шт - РАДІОМАГ-Львів
50 шт - РАДІОМАГ-Харків
31 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 7.00 грн |
| 10+ | 6.30 грн |
| 100+ | 5.50 грн |
| 1000+ | 5.00 грн |
| BC857C Код товару: 2027
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 800
Транзистори > Біполярні PNP
Корпус: SOT-23
fT: 100 MHz
Uке, В: 45 V
Uкб, В: 50 V
Iк, А: 0,1 A
h21,max: 800
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 2.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.50 грн |








