IRFPC50APBF VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.58Ω
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 178.54 грн |
| 5+ | 149.84 грн |
| 8+ | 114.46 грн |
| 20+ | 108.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPC50APBF VISHAY
Description: VISHAY - IRFPC50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm.
Інші пропозиції IRFPC50APBF за ціною від 118.73 грн до 315.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFPC50APBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 11A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 180W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.58Ω Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFPC50APBF | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 4638 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFPC50APBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 600V N-CH HEXFET |
на замовлення 1469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFPC50APBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPC50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 180W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm |
на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IRFPC50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IRFPC50APBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |