Продукція > VISHAY > IRFPC50APBF
IRFPC50APBF

IRFPC50APBF VISHAY

irfpc50A.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; Idm: 44A; 180W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 70nC
On-state resistance: 0.58Ω
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 600V
Power dissipation: 180W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+287.84 грн
10+189.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFPC50APBF VISHAY

Description: VISHAY - IRFPC50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IRFPC50APBF за ціною від 200.41 грн до 525.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IRFPC50APBF IRFPC50APBF Vishay Siliconix doc?98731 Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.34 грн
25+267.43 грн
100+222.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBF IRFPC50APBF VISHAY VISH-S-A0011299539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRFPC50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+493.68 грн
10+290.83 грн
100+242.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBF IRFPC50APBF Vishay Semiconductors doc?98731 MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+525.45 грн
10+359.75 грн
100+251.38 грн
500+222.75 грн
1000+200.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBF doc?98731
IRFPC50APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+471.34 грн
25+267.43 грн
100+222.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBF VISH-S-A0011299539-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFPC50APBF
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFPC50APBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.58 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.58ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+493.68 грн
10+290.83 грн
100+242.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFPC50APBF doc?98731
IRFPC50APBF
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+525.45 грн
10+359.75 грн
100+251.38 грн
500+222.75 грн
1000+200.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.