Технічний опис IRFPC60 IR
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 280W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFPC60
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IRFPC60 | Виробник : IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
IRFPC60 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFPC60 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 280W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IRFPC60 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP |
товару немає в наявності |