IRFPE30
Код товару: 23708
Виробник: IRUds,V: 800 V
Idd,A: 4,1 A
Rds(on), Ohm: 3 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPE30 IR
- MOSFET, N TO-247
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:4.1A
- On State Resistance:3ohm
- Case Style:TO-247AC
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Max Voltage Vds:800V
- No. of Pins:3
- Power Dissipation:125W
- Power Dissipation Pd:125W
- Pulse Current Idm:16A
- Voltage Vds:800V
- Transistor Case Style:TO-247AC
Інші пропозиції IRFPE30
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFPE30 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|
 |
IRFPE30 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
IRFPE30 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET RECOMMENDED ALT IRFPE30PBF |
товар відсутній |