на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 151.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPE30PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFPE30PBF за ціною від 140.25 грн до 355.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFPE30PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFPE30PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
 MOSFET 800V N-CH HEXFET |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFPE30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFPE30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFPE30PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFPE30PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IRFPE30PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Power dissipation: 125W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IRFPE30PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; 125W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.6A Power dissipation: 125W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3Ω Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |