Технічний опис IRFPE30PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFPE30PBF за ціною від 85.01 грн до 483.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFPE30PBF | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFPE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFPE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFPE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRFPE30PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
IRFPE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
IRFPE30PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 800V 4.1A N-CH MOSFET |
на замовлення 112 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
IRFPE30PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFPE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 85.01 грн |
| IRFPE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 161.01 грн |
| IRFPE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 249.50 грн |
| 10+ | 224.76 грн |
| 100+ | 203.02 грн |
| IRFPE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 57+ | 249.50 грн |
| 63+ | 224.76 грн |
| 100+ | 203.02 грн |
| IRFPE30PBF |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 384.00 грн |
| 10+ | 269.91 грн |
| 100+ | 206.90 грн |
| IRFPE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 483.76 грн |
| 40+ | 355.43 грн |
| 100+ | 268.22 грн |
| IRFPE30PBF |
|
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 800V 4.1A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFPE30PBF |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)