IRFPE40 Siliconix


irfpe40.pdf Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2Ohm; 5,4A; 150W; -55°C ~ 150°C; IRFPE40 TIRFPE40
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFPE40 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFPE40

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFPE40 IRFPE40 Виробник : Vishay irfpe40.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товар відсутній
IRFPE40 IRFPE40 Виробник : Vishay Siliconix irfpe40.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товар відсутній
IRFPE40 IRFPE40 Виробник : Vishay / Siliconix irfpe40.pdf MOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFPE40PBF
товар відсутній