IRFPE40 Siliconix

Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2Ohm; 5,4A; 150W; -55°C ~ 150°C; IRFPE40 TIRFPE40
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 101.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPE40 Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IRFPE40
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFPE40 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRFPE40 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IRFPE40 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
товару немає в наявності |