IRFPE40 Siliconix

Виробник: Siliconix
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 2Ohm; 5,4A; 150W; -55°C ~ 150°C; IRFPE40 TIRFPE40
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	101.32 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IRFPE40 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AC, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IRFPE40

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IRFPE40	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFPE40	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IRFPE40	Виробник : Vishay / Siliconix	MOSFETs RECOMMENDED ALT IRFP	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.