
на замовлення 1205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
500+ | 94.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPE40PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFPE40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5.4 A, 2 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IRFPE40PBF за ціною від 46.20 грн до 496.18 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRFPE40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFPE40PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.4A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFPE40PBF | Виробник : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 915 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFPE40PBF | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFPE40PBF | Виробник : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.4A; 150W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.4A Power dissipation: 150W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Gate charge: 130nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFPE40PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
![]() |
на замовлення 587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFPE40PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRFPE40PBF Код товару: 47298
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : Vishay |
![]() Uds,V: 800 V Idd,A: 5,4 A Rds(on), Ohm: 2 Ohm Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|