Інші пропозиції IRFPE50PBF за ціною від 159.81 грн до 568.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 119 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 3560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-247AC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 3563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 1497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET |
на замовлення 2338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 201.61 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 271.25 грн |
| 10+ | 189.11 грн |
| 25+ | 179.91 грн |
| 50+ | 172.38 грн |
| 100+ | 164.01 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 42+ | 339.82 грн |
| 44+ | 322.69 грн |
| 50+ | 309.52 грн |
| 100+ | 284.50 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 566.78 грн |
| 40+ | 359.38 грн |
| 100+ | 257.10 грн |
| 500+ | 174.35 грн |
| 1000+ | 159.81 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247AC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 567.00 грн |
| 25+ | 324.62 грн |
| 100+ | 271.89 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 3563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 568.08 грн |
| 10+ | 360.19 грн |
| 100+ | 257.69 грн |
| 500+ | 174.74 грн |
| 1000+ | 160.18 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET
на замовлення 2338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








