Інші пропозиції IRFPE50PBF за ціною від 143.18 грн до 594.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.9A Power dissipation: 190W Case: TO247AC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.2Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 324 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 324 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET |
на замовлення 1503 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 7513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 9012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 9013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IRFPE50PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 190W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm |
на замовлення 1403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IRFPE50PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 208.81 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 190W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 324 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 393.23 грн |
| 7+ | 151.65 грн |
| 18+ | 143.18 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 33+ | 447.44 грн |
| 35+ | 424.25 грн |
| 50+ | 406.52 грн |
| 100+ | 368.32 грн |
| 125+ | 333.73 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET
MOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 516.76 грн |
| 10+ | 299.58 грн |
| 100+ | 225.22 грн |
| 500+ | 219.97 грн |
| 1000+ | 198.95 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 7513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 585.06 грн |
| 40+ | 370.82 грн |
| 100+ | 305.62 грн |
| 500+ | 270.00 грн |
| 1000+ | 207.33 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 9012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 589.20 грн |
| 40+ | 373.67 грн |
| 100+ | 308.03 грн |
| 500+ | 272.08 грн |
| 1000+ | 208.83 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 9013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 593.11 грн |
| 10+ | 376.15 грн |
| 100+ | 310.06 грн |
| 500+ | 273.88 грн |
| 1000+ | 210.22 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 594.64 грн |
| 25+ | 340.52 грн |
| 50+ | 310.49 грн |
| 100+ | 267.68 грн |
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| IRFPE50PBF |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)








