на замовлення 1125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 115.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFPE50PBF Vishay
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 7.8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 190W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFPE50PBF за ціною від 136.64 грн до 298.27 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRFPE50PBF | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFPE50PBF | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - IRFPE50PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 7.8 A, 1.2 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFPE50PBF | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 7.8A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.7A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V |
на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFPE50PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 200nC On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 4.9A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 190W Drain-source voltage: 800V Case: TO247AC Polarisation: unipolar |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IRFPE50PBF | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO247 800V 7.8A N-CH MOSFET |
на замовлення 3157 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.9A; 190W; TO247AC Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 200nC On-state resistance: 1.2Ω Drain current: 4.9A Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 190W Drain-source voltage: 800V Case: TO247AC Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IRFPE50PBF Код товару: 47698
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
||||||||||||
|
|
IRFPE50PBF | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 7.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC |
товару немає в наявності |